碳化硅化学气相涂层/生长炉技术特征

通过最先进的进气把握的技术，能紧密把握MTS/SiCl4等的流量数据和气压，炉膛内累积气压稳定可靠，气压价格波动小；

多车道工序气路，配合高速旋转料台，无磨合墙角；

平均温场与暖湿热空气场藕合所采用仿真模拟辅助制作结构设计，平均温场与暖湿热空气场的匀性好；

多级别汽车废气排放补救系统软件，能高效能补救浸蚀性汽车废气排放、混合物副化合物，场景亲善；

炉壳用到耐金属腐蚀不锈不锈钢圆管钢的的才质，热场资料用到低灰分的的才质，非常严格把控进气导压管的的才质（运用EP级的的才质）；

比较适合生产工艺互动性：进口真空/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化学气相涂层/生长炉产品规格

产品参数\具体型号	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1315-SiC	VCVD-1520-SiC
工作区尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1300×1500	1500×2000
最高温度（℃）	1500
温度均匀性（℃）	±10~±20		±5~±20
极限真空度（Pa）	1-100
压升率（Pa/h）	0.67

上面的主要参数可给出生产技巧让来进行的调整，未有为工程验收法律依据，大概以技巧解决方案和商议起算。

碳化硅化学气相涂层/生长炉配置选择