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进行最先进的进气调节技术设备，能高精度调节MTS/SiCl4等的联通流量和有有压力差，炉膛内沉淀积累有有压力差固定，有有压力差冲击小；
多通畅方法气路，协助高速旋转料台，无沉淀墙角；
平均高温场与热空气场解耦主要包括逼真氧化硅定制，平均高温场与热空气场的平滑性好；
多级别空气治疗程序，能高效能治疗浸蚀性空气、粉状副产品，氛围和睦；
炉壳主要包括耐腐化金属在材料做坯质，热场建材主要包括低灰分面料，从紧把控进气管道面料（选取EP级面料）；
宜于生产技术氛围音乐：负压/H2/N2/Ar/MTS等。
| 主要参数\产品型号 | HCVD-101015-SiC | HCVD-121220-SiC | VCVD-0608-SiC | VCVD-0812-SiC | VCVD-1015-SiC | VCVD-1218-SiC | VCVD-1315-SiC | VCVD-1520-SiC |
| 工作区尺寸 W×H×L（mm） | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 600×800 | 800×1200 | 1000×1500 | 1200×1800 | 1300×1500 | 1500×2000 |
| 最高温度（℃） | 1500 | |||||||
| 温度均匀性（℃） | ±10~±20 | ±5~±20 | ||||||
| 极限真空度（Pa） | 1-100 | |||||||
| 压升率（Pa/h） | 0.67 | |||||||
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