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热解氮化硼化学气相生长炉
热解氮化硼化学气相生长炉
产品描述:
主要用于半导体领域氮化硼的化学气相涂层或生长。
应用范围:
OLED坩埚、PBN板材/环舟、VGF坩埚、LEC坩埚等。产品纯度≥99.999%/99.9999%。

热解氮化硼化学气相生长炉技术特征

运用高级的进管控技术性,能细密管控BCl3/NH3的联通流量和压强,炉膛内岩浆岩暖湿气流保持稳定,压强跌涨小;

多短信通道方法气路,协助翻转视频料台,无形成沉积任何死角;

多级别空气工作系统,能快速工作灼伤性空气、固体颗粒副代谢物,条件友好合作;

可以选择配最薪设计方案的防腐施工蚀真空系统热泵机组,不断事业时间段长,修理率低;

适于工艺气氛:真空/H2/N2/Ar/BCl3/NH3


热解氮化硼化学气相生长炉产品规格

主要参数\材质VCVD-0305-BNVCVD-0608-BNVCVD-0612-BNVCVD-0812-BNVCVD-1015-BNVCVD-1218-BNVCVD-1315-BNVCVD-1520-BN
工作区尺寸 φ×H(mm)300×500600×800600×1200800×12001000×15001200×18001300×15001500×2000
最高温度(℃)2000
温度均匀性(℃)±5~±20
极限真空度(Pa)1-100
压升率(Pa/h)0.67
以上的性能参数可给出新工艺需要采取校准,不予为检验重要依据,详细以技术工艺计划书和协商应写。

热解氮化硼化学气相生长炉配置选择

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