碳化硅化学气相涂层/生长炉技术特征

主要采用较为先进的进气有效掌控的技术，能高精密有效掌控MTS/SiCl4等的热度和负荷，炉膛内积累负荷维持，负荷下降小；

多短信通道加工工艺气路，结合拖动料台，无积累盲区；

气温场与气旋场耦合电路运用逼真手游辅助设计的，气温场与气旋场的均匀的性好；

多级别排放净化治理设备，能优质净化治理金属强腐蚀性排放、液态副乙酰乙酸，条件团结；

炉壳用耐氧化不锈热轧钢板质，热场食材用低灰分的食材，按照严格把控进气蒸汽管道的食材（运用EP级的食材）；

适用加工过程节日气氛：真空环境/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化学气相涂层/生长炉产品规格

性能\型號	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1315-SiC	VCVD-1520-SiC
工作区尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1300×1500	1500×2000
最高温度（℃）	1500
温度均匀性（℃）	±10~±20		±5~±20
极限真空度（Pa）	1-100
压升率（Pa/h）	0.67

上面的指标可要根据艺特殊要求去调正，不用于为项目结束验收原则，具体化以技术工艺计划和协议模板为基准。

碳化硅化学气相涂层/生长炉配置选择