碳化硅化学气相涂层/生长炉技术特征

选用高端的进气把握能力，能精密制造把握MTS/SiCl4等的人流量和气压，炉膛内磨合气压保持稳定，气压振幅小；

多通畅工艺设计气路，相互配合三维旋转料台，无形成㓟盲区；

工作温度表场与气浪场合体所采用仿真软件氧化硅设定，工作温度表场与气浪场的均匀的性好；

多级别汽车烟气治理 体统，能提高效率治理 侵蚀性汽车烟气、气体副结果，条件十分友好；

炉壳分为耐浸蚀不锈合金钢质，热场板材分为低灰分在的材料，苛刻把控进气管道在的材料（运用EP级在的材料）；

适合技艺气息：抽真空/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化学气相涂层/生长炉产品规格

叁数\技术参数	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1315-SiC	VCVD-1520-SiC
工作区尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1300×1500	1500×2000
最高温度（℃）	1500
温度均匀性（℃）	±10~±20		±5~±20
极限真空度（Pa）	1-100
压升率（Pa/h）	0.67

以下规格可要根据工艺设计标准要求做好调低，未看做工程验收前提，实际上以技术工艺方案怎么写和服务协议为界。

碳化硅化学气相涂层/生长炉配置选择